Obiectivele principale ale proiectului au constat în obținerea monostraturi atomice de MoS₂ pe substraturi din sticlă, SiO₂ și GaN, analizate ulterior  prin metodele spectroscopiei optice (absorbția optică, proprietățile fololuminescente și procesele de relaxare la diferite temperaturi). Pentru stabilirea condițiilor optime de obținere a filmelor și atingerea unor rezultate scontate din punct de vedere ale proprietăților fizice, aceste sisteme au fost fabricate prin tehnologia depunerii straturilor atomice (ALD – Atomic Layer Deposition) și cea a depunerii chimice din fază de vapori (CVD – Chemical Vapor deposition). Deasemenea, au fost efectuate lucrări de optimizare a regimurilor tehnologe de obținere a filmelor ultrasubțiri de MoS₂ corelate cu proprietățile optice, electrofizice și morfologice ale filmelor respective. Au fost studiate metodele de manipulare a grosimii straturilor și a unor parametri electrofizici a disulfurii de molibden pentru obținerea proprietăților necesare la fabricarea de senzori pentru detecția radiației cu frecvențe în domeniul terahertz (THz).